在使用 RJ-45 線纜的應用中,通常不會使用先前提到的線纜屏蔽保護技術。不過,圖 3 中顯示的解決方案對 集成電路實施了充分的保護。當使用 AC 斷接電路時可采用該電路,若沒有使用該電路,則不需要 D1 和 D3。
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圖 3、該保護電路配合使用阻斷元件(電感器)和轉移電路(BS 終端和鉗位二極管)避免了 ESD 和 EFT 事件產生的浪湧損害。
關鍵組件的參數
認真考慮以下保護電路中的每一個主要組件的關鍵參數是非常重要的。對於鉗位二極管 D2 和 D4 而言,關鍵參數是指前向恢複時間、瞬態電流能力以及前向電壓瞬態。TVS 二極管[6] D3 的關鍵參數是響應時間、電流處理能力以及低阻抗。隻有當 D1 用於 AC 斷接功能時,才要求 D3。
若考慮到更為嚴重的浪湧問題,比如 GR-1089-CORE 標準(樓宇間的雷電浪湧設計規範)中定義的浪湧,則 D2、D3(1500-W TVS)以及 D4 需要使用更為穩健的組件。負電壓瞬態要求有肖特基二極管 D1,同時也需要 Bob Smith (BS) 終端或線路對接地電容器,因為最初的 ESD/EFT 瞬態是通過這些終端流向大地接地的。
其他的主要組件是鐵氧體磁珠 FB1 和 FB2。這些組件提供了防止 C2 在高頻率時將終端短路的阻斷阻抗。48-V 總線 (100nF) 上的去耦電容器以及橋接 TPS2384 的 P 與 N 終端的電容器必須是低阻抗陶瓷電容器。C1 和 C2 必須非常靠近鉗位二極管 D1 和 D2。48-V 總線 (D5) 上的 TVS 二極管通常的放置位置與 48-V 輸入連接器靠得很近。所有的器件都必須是表麵貼裝封裝形式的,並帶有很低的寄生電感。
不管極性為正還是為負,保護組件均可避免瞬態電流進入 TPS2384 芯片的 N 到 RTN 路徑,或 P 到 RTN 路徑。不過,這些瞬態電流由於瞬態源的不同,可能會有不同的路徑。圖 4 和圖 5 分別闡明了快速共模事件 ESD 或 EFT 的保護情況。
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圖 4、本圖闡明了鐵氧體磁珠和鉗位二極管將正極ESD/EFT事件從TPS2384 芯片的P終端轉移到底座接地的電流路徑。
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圖 5、本圖闡明了鐵氧體磁珠和鉗位二極管將正極ESD/EFT事件從 TPS2384 芯片的 N 終端轉移到底座接地的電流路徑。
在瞬態事件發生前,C1 和 C2 上的直流電壓電平直接影響瞬態電流路徑。在 ESD 或 EFT 模擬中,BS 終端與鐵氧體磁珠一起在 ESD/EFT 抑製中發揮作用。此外,BS 終端還可用於 EMC 目的。這些電容器清楚地定義了 ESD 或 EFT 衝擊時的最初路徑。
模擬可以提供在不同瞬態事件中可能的電壓大小的指示功能。線路對大地接地電容器上的最大可能電壓是 1kV,這表明選擇額定值為 2kV 的電容器是安全的。模擬還表明,應用 8-kV ESD 時,若同時存在 150-pF/330-HHM,則 BS 終端上 1-nF 電容器的電壓將小於 100V。對於Class 2 事件來說,在浪湧測試中,施加到該電容器的最高電壓是 1kV。同理,對於 10-nF 的電容器來說,200-V 的額定值也是安全的。不過,因為沒有定義一個 ESD 線纜放電模型,因此還沒有進行過此類模擬。對於四端口的 PSE 來說,圖 6 顯示了一款推薦使用的電路板布局,其符合先前所述的所有設計指南。
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圖 6、PSE PCB 板的設計遵循了提高電子係統穩健性的布局指南,以提高 ESD/EFT 事件保護能力。
很明顯,D2、D4、D3、D1、C1、C2以及電源輸入和 RJ-45 連接器必須靠得非常近,以使瞬態電流回路所占空間以及其生成的阻抗盡可能的小。在多端口應用中,推薦對每一組的兩個或四個端口使用與 C1 一樣的去耦電容器,並使每個電容的放置都靠近其相關組。為抑製器器件提供足夠的銅箔麵積以促進散熱也是非常重要的。另外一個注意事項是以太網接口電路通常要求數據線路驅動電路要有數據線路保護器。不過,本文的重點是闡述用於 電路的保護技術。
參考書目及信息
1、《電子電路的過壓保護》作者:Standler, Ronald B,2002 年版,由 Dover Publications Inc. 公司出版。
2、《PoE 的電氣瞬態抗擾度》,網址:http:focus.ti.com/lit/an/slva233a/slva233a.pdf.
3、IEC 61000-4-2、61000-4-4 以及 61000-4-5,網址:.
4、ITU-T 建議:K.20、K.21、K.44 以及 K.45,網址:。
5、《Telcordia GR-1089-CORE》,第四期,網址:。
6、《Semtech AN96-07》、《TVS 二極管應用手冊》,2002 年 4 月 4 日修訂版,網址:。