台灣清華大學開發成功了幾乎所有工序均采用CMOS工藝的觸覺。此次開發的傳感器中，手觸部分由帶保護膜的金屬薄膜構成，這層薄膜與下麵的金屬薄膜構成電容器。手觸後，金屬薄膜間的距離變小、電容器容量發生變化。通過這種變化實現觸覺的感知。  

　　為了實現CMOS工藝下的開發，犧牲層使用了金屬。這樣一來，金屬薄膜就會在犧牲層刻蝕階段被一同刻蝕處理掉，因此預先對最終所需要的金屬薄膜進行了處理，以確保不被刻蝕處理。試製品使用了的2層4層金屬的0.35μm工藝。