原本計劃作為主打產品的動態存儲器(DRAM),市場價格每況愈下,利潤被一再攤薄。作為經營管理方中芯國際不得不決定調整戰略:在漢投產後,將放棄動態儲存器的生產,把重點轉向毛利率較高的閃存存儲器(flash)。
從2003年開始,武漢市就曾與中芯國際接觸,希望其能來漢投資辦廠。謀劃3年,如今終於心想事成。然而,讓所有人都始料不及的是,2007年受DRAM市場價格嚴重下滑,晶圓代工廠中芯國際第3季度淨虧損擴大至2560萬美元。
據武漢新芯集成電路製造有限公司總裁劉丹平介紹,動態存儲器2006年的市場價是6至7美元,去年年初約4美元,而如今已經跌至70到80美分。跌勢之急為20年來罕見
。措手不及的全球市場變化,中芯首席執行官張汝京放話,“如果DRAM單價再跌至1美元,再無廠商可承受這價格並願意生產。”
武漢芯片廠決定將放棄DRAM生產,難道是張汝京言論的應驗?武漢新芯集成電路製造有限公司總裁辦副主任舒揚說,DRAM市場的利潤被攤薄,迫使中芯國際武漢芯片廠必須掂量一旦投產後做什麼產品。
據介紹,中芯國際作為全球第三大芯片代工企業,可以上生產的產品很多,其中包括90納米邏輯芯片、動態存儲器、靜態存儲器、閃存等等。這些產品是各類消費電子產品如計算機、數碼相機、MP4、手機等的核心部件。
由於受到相關法律的約束,邏輯芯片在漢難以投產。加之,動態存儲器市場價格急劇下滑,艱難的選擇擺在劉丹平麵前。他向記者明確表示,武漢芯片廠投產後,主打產品將不再是動態儲存器,而轉向毛利率較高的閃存存儲器。
調整生產線不耽誤正式投產
在光穀,中芯國際武漢芯片廠一排排主體廠房業已建成,34公裏長的汙水處理管道也已鋪設完畢,芯片生產製造的設備正在陸續到位,中芯國際武漢芯片廠何時投產?
7日,麵對記者的發問,舒揚稱“由於客戶群的變化,在漢生產線將麵臨著調整,投產時間可能會比原定時間稍稍推遲。”
“目前,政府投資的百億元資金已經到位,其中有80億元用來向國內外購買生產設備。”舒揚說,自2006年6月28日正式開工建設以來,各項工作嚴格按計劃節點推進。“雖然生產線將有所調整,但對今年一季度正式投產沒有太大的影響。”
中芯國際武漢芯片廠12英寸集成電路生產線項目,由省市聯合投資,委托中芯國際經營管理。其中,項目一期工程的總投資高達107億元。
業內人士分析說,武漢現有芯片設計企業20多家,有下遊的手機生產廠商武漢NEC、通信設備廠商烽火科技等,中芯國際引入武漢之後,會在光穀形成相對完善的上下遊產業鏈。
“變”是現代生活永恒不變的主題,中芯國際武漢芯片廠在建設過程中,緊盯市場變化,根據市場的需求及時調整產品方向,著實難得。我們隻有緊跟市場的變動,才能贏得競爭優勢,才能贏起跑線上。