賽普拉斯半導體公司於近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態隨機存儲器（nv）產品。這款新器件產品的特色包括15 ns的快速存取時間、無限次讀取、寫入和調用循環、以及20年的數據保留期，十分適用於那些要求連續高速數據寫入和絕對非易失性數據安全性的應用，包括RAID應用、嚴苛的環境下的工業控製設備以及汽車、醫療和數據通信係統內的數據記錄功能。

       可作為快速非易失性存儲器的最佳替代產品。與需要備用電池的SRAM相比，nvSRAM能夠減少板卡占用空間並簡化設計，而且其經濟性和可靠性都要優於磁性存儲器（MRAM）或鐵電存儲器（FRAM）。這款新產品是賽普拉斯的nvSRAM係列中的最新產品，該係列還包括當前批量生產發運的256K和1Mbit nvSRAM型號的器件。預計，這一係列在2008年上半年還會再推出新產品。

       這款新4-Mbit nvSRAM產品首次采用賽普拉斯S8™ 0.13微米SONOS（矽氮氧化物矽）嵌入式非易失性存儲器技術製造的產品，實現了更高的密度，縮短了存取時間並提高了性能。作為SONOS工藝技術的領先者，賽普拉斯將在下一代PSoC®混合信號陣列、OvationONS™激光導航傳感器、可編程時鍾和其它產品中應用該項技術。SONOS對標準CMOS技術具有極高的兼容性，並具備了高耐用性、低功率和耐輻射性等眾多優點。此外，與其它嵌入式非易失性存儲器技術相比，SONOS提供了更加穩定、更容易製造以及性價比更高的解決方案。

       賽普拉斯非易失性存儲器業務部副總裁Robert Dunnigan指出：“nvSRAM將賽普拉斯的SRAM和非易失存儲器這兩種傳統優勢融為一體，形成了單片高性能解決方案，能夠滿足許多應用領域的要求。此外，我們還為這些產品提供了市場上最為廣泛的銷售渠道和最優秀的技術支持。”

       賽普拉斯負責新產品開發的執行副總裁Paul Keswick表示：“這款產品的推出代表著賽普拉斯工藝發展演化中一個極具發展潛力的可開發點。我們已經將內部資源轉向投入到S8這類能夠帶來市場差異化解決方案的增值型專有工藝。我們正在利用這一工藝開發一係列重要的新產品。”

       4-Mbit nvSRAM供貨配置包括512-Kbit x 8（CY14B104L）或256-Kbit x 16（CY14B104N）。這些器件均符合ROHS標準並能夠直接取代SRAM、帶備用電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，在無需電池的情況下提供了可靠的非易失數據存儲能力。從SRAM向本器件非易失性單元的數據傳輸操作會在供電斷開時自動執行。在供電恢複時，數據從非易失存儲器恢複至SRAM。這兩種操作功能也可以在軟件控製下實現。