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寒流来袭 武汉产芯片变脸御寒
作者: 发布时间:2008-02-20 08:48:21 来源: 繁体版
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  利润一再被摊薄中芯国际在汉弃产动态存储器

  全球半导体的寒流也传染给了光谷。投资上百亿元的武汉新芯集成电路制造有限公司还未投产,就被迫改弦更张。

  原本计划作为主打产品的动态存储器(DRAM),市场价格每况愈下,利润被一再摊薄。作为经营管理方中芯国际不得不决定调整战略:在汉投产后,将放弃动态储存器的生产,把重点转向毛利率较高的闪存存储器(flash)。

  主打产品“易主”

  从2003年开始,武汉市就曾与中芯国际接触,希望其能来汉投资办厂。谋划3年,如今终于心想事成。然而,让所有人都始料不及的是,2007年受DRAM市场价格严重下滑,晶圆代工厂中芯国际第3季度净亏损扩大至2560万美元。

  据武汉新芯集成电路制造有限公司总裁刘丹平介绍,动态存储器2006年的市场价是6至7美元,去年年初约4美元,而如今已经跌至70到80美分。跌势之急为20年来罕见

。措手不及的全球市场变化,中芯首席执行官张汝京放话,“如果DRAM单价再跌至1美元,再无厂商可承受这价格并愿意生产。”

  武汉芯片厂决定将放弃DRAM生产,难道是张汝京言论的应验?武汉新芯集成电路制造有限公司总裁办副主任舒扬说,DRAM市场的利润被摊薄,迫使中芯国际武汉芯片厂必须掂量一旦投产后做什么产品。

  据介绍,中芯国际作为全球第三大芯片代工企业,可以上生产的产品很多,其中包括90纳米逻辑芯片、动态存储器、静态存储器、闪存等等。这些产品是各类消费电子产品如计算机、数码相机、MP4、手机等的核心部件。

  由于受到相关法律的约束,逻辑芯片在汉难以投产。加之,动态存储器市场价格急剧下滑,艰难的选择摆在刘丹平面前。他向记者明确表示,武汉芯片厂投产后,主打产品将不再是动态储存器,而转向毛利率较高的闪存存储器。

  调整生产线不耽误正式投产

  在光谷,中芯国际武汉芯片厂一排排主体厂房业已建成,34公里长的污水处理管道也已铺设完毕,芯片生产制造的设备正在陆续到位,中芯国际武汉芯片厂何时投产?

  7日,面对记者的发问,舒扬称“由于客户群的变化,在汉生产线将面临着调整,投产时间可能会比原定时间稍稍推迟。”

  “目前,政府投资的百亿元资金已经到位,其中有80亿元用来向国内外购买生产设备。”舒扬说,自2006年6月28日正式开工建设以来,各项工作严格按计划节点推进。“虽然生产线将有所调整,但对今年一季度正式投产没有太大的影响。”

  中芯国际武汉芯片厂12英寸集成电路生产线项目,由省市联合投资,委托中芯国际经营管理。其中,项目一期工程的总投资高达107亿元。

  业内人士分析说,武汉现有芯片设计企业20多家,有下游的手机生产厂商武汉NEC、通信设备厂商烽火科技等,中芯国际引入武汉之后,会在光谷形成相对完善的上下游产业链。

  “变”是现代生活永恒不变的主题,中芯国际武汉芯片厂在建设过程中,紧盯市场变化,根据市场的需求及时调整产品方向,着实难得。我们只有紧跟市场的变动,才能赢得竞争优势,才能赢起跑线上。

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