第三代（3G）基站、自动测试与测量以及便携式计算设备等先进应用系统都需要高性能的组件。各家公司都在利用先进的工艺技术以满足这种需求，比如最新推出的第三代完全介质隔离互补双极工艺。
BiCom3是一种硅-锗（SiGe）工艺，是为极高速精密模拟集成电路开发的。这是以硅（Si） 为基底，然后再添加锗（Ge）的一种工艺。用锗来掺杂基底大大提高了载流子的移动性，并产生了极快的跃迁速度。这种工艺可制造出跃迁频率（fT）为15-20GHz、最高频率（fmax）为40-50GHz的真正互补双极NPN和PNP晶体管。这与其它互补工艺相比，性能提高了3倍。互补晶体管允许使用多级AB类放大器，它们是设计高速、高性能模拟电路的关键。
此外，该工艺还整合了CMOS FET、精密电阻和电容。这些特性使得高度复杂的数字功能可与卓越的模拟功能集成在一块芯片上。
Bicom3的工艺创新
BiCom3工艺是针对较宽温度范围内的3~5V应用而设计的，同时提供15-20GHz的fT以及40-50GHz的fmax。fT值在性能方面比其它互补技术提高了近3倍。介质隔离的晶体管大大降低了影响高频性能的集电极与基底之间的寄生效应。
该项技术的主要组成部分是双极晶体管。对于采用互补设计的高性能模拟应用来说，NPN和PNP的fT性能需要良好地匹配（差值小于2倍）。除了fT之外，高速线性运算放大器及其它信号调节电路还要求很高的晶体管增益，其特性主要由βVA的乘积来表示。提高VA通常以牺牲fT为代价，因为这样会导致基底掺杂水平的提高，最终降低跃迁性能并增加发射极电容。添加锗的做法通过增强基极电场弥补了这种效应，从而既得到改善的VA，也获得更高的fT。表1给出了典型的双极晶体管特性，图1为晶体管截面图。
图1 BiCom3工艺中NPN和PNP晶体管的截面图 除了双极组件之外，在工艺流程中还集成了5V CMOS来支持高速模数转换（ADC）等要求高信噪比（SNR）性能的产品。表2列出了BiCom3 CMOS晶体管的特性。
该工艺的关键之处是制成稳定而且高性能的无源器件。
金属-绝缘体-金属（MIM）电容器由多层TiN-Ox-TiSi2构成。这种电容器具有-6 ppm/V的线性电压系数。稳定的电容与电压相关特性意味着这种电容器不会产生严重的失真。
该工艺提供两种类型的电阻器，一种是NiCrAl薄膜电阻器（TFR），一种是聚合物（POLY）电阻器。TFR的25ppm/℃线性温度系数与可市售的精密电阻器相比。POLY电阻器的-6ppm/℃线性温度系数还没有市售的产品可与之相比。一般情况下，芯片中对温度的跟踪是非常密切的，增益设置等模拟设计性能随温度的变化小到几乎测量不出。
表3列出了集成电容器和电阻器的关键电参数。
改善的基极电阻（rb）、跃迁频率（fT）以及寄生结电容（cjc和cjs）参数提高了固有寄生极点的频率，允许更高的带宽。互补SiGe双极晶体管具有对称架构，失真很小。此外，更低的晶体管基极电阻还可降低等效输入噪声电压。
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