具备快速本体二极管特性的全新MOSFET

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具备快速本体二极管特性的全新MOSFET

作者：　发布时间：2007-10-27 02:45:01　来源：　繁体版

国际整流器公司（IR）推出全新600V HEXFET功率系列，新器件具备特性，专为零电压开关（ZVS）电路等软开关应用量身订造。ZVS技术能在开关式电源（SMPS）电路中实现最大效率，并能提高功率输出，适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性，因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管，减少了元件数目，节省了电路空间。网址：。

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