②普通电容器在室温下按技术条件进行100％测试，剔除不合格品。

　　③接插件按技术条件抽样检测各种参数。

　　④半导体器件按以下程序进行筛选：

　　目检→初测→高温贮存→高低温冲击→电功率老化→高温测试→低温测试→常温测试 筛选结束后应计算剔除率Q

　　Q=(n / N)×100%

　　式中：N——受试样品总数；

　　n——被剔除的样品数；

　　如果Q超过标准规定的上限值，则本批元器件全部不准上机，并按有关规定处理。

　　在符合标准规定时，则将筛选合格的元器件打漆点标注，然后入专用库房供装机使用。

　　（3） 设计问题

　　首先是恰当地选用合适的元器件：

　　①尽量选用硅半导体器件，少用或不用锗半导体器件。

　　②多采用集成电路，减少分立器件的数目。

　　③开关管选用MOSFET能简化驱动电路，减少损耗。

　　④输出整流管尽量采用具有软恢复特性的二极管。

　　⑤应选择金属封装、陶瓷封装、玻璃封装的器件。禁止选用塑料封装的器件。       ⑥集成电路必须是一类品或者是符合MIL－M－38510、MIL－S－19500标准B－1以上质量等级的军品。

　　⑦时尽量少用继电器，确有必要时应选用接触良好的密封继电器。

　　⑧原则上不选用电位器，必须保留的应进行固封处理。

　　⑨吸收电容器与开关管和输出整流管的距离应当很近，因流过高频电流，故易升温，所以要求这些电容器具有高频低损耗和耐高温的特性。 在潮湿和盐雾环境下，铝电解电容会发生外壳腐蚀、容量漂移、漏电流增大等情况，所以在舰船和潮湿环境，最好不要用铝电解电容。由于受空间粒子轰击时，电解质会分解，所以铝电解电容也不适用于航天电子设备的电源中。 钽电解电容温度和频率特性较好，耐高低温，储存时间长，性能稳定可靠，但钽电解电容较重、容积比低、不耐反压、高压品种(>125V)较少、价格昂贵。

　　关于降额设计：

　　电子元器件的基本失效率取决于工作应力(包括电、温度、振动、冲击、频率、速度、碰撞等)。除个别低应力失效的元器件外，其它均表现为工作应力越高，失效率越高的特性。为了使元器件的失效率降低，所以在电路设计时要进行降额设计。降额程度，除外还需考虑体积、重量、成本等因素。不同的元器件降额标准亦不同，实践表明，大部分电子元器件的基本失效率取决于电应力和温度，因而降额也主要是控制这两种应力，以下为开关

　　电源常用元器件的降额系数：

　　①电阻的功率降额系数在0.1～0.5之间。

　　②二极管的功率降额系数在0.4以下，反向耐压在0.5以下.

　　③发光二极管