赛普拉斯半导体公司于近日推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器（nv）产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期，十分适用于那些要求连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全性的应用，包括RAID应用、严苛的环境下的工业控制设备以及汽车、医疗和数据通信系统内的数据记录功能。

       可作为快速非易失性存储器的最佳替代产品。与需要备用电池的SRAM相比，nvSRAM能够减少板卡占用空间并简化设计，而且其经济性和可靠性都要优于磁性存储器（MRAM）或铁电存储器（FRAM）。这款新产品是赛普拉斯的nvSRAM系列中的最新产品，该系列还包括当前批量生产发运的256K和1Mbit nvSRAM型号的器件。预计，这一系列在2008年上半年还会再推出新产品。

       这款新4-Mbit nvSRAM产品首次采用赛普拉斯S8™ 0.13微米SONOS（硅氮氧化物硅）嵌入式非易失性存储器技术制造的产品，实现了更高的密度，缩短了存取时间并提高了性能。作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯将在下一代PSoC®混合信号阵列、OvationONS™激光导航传感器、可编程时钟和其它产品中应用该项技术。SONOS对标准CMOS技术具有极高的兼容性，并具备了高耐用性、低功率和耐辐射性等众多优点。此外，与其它嵌入式非易失性存储器技术相比，SONOS提供了更加稳定、更容易制造以及性价比更高的解决方案。

       赛普拉斯非易失性存储器业务部副总裁Robert Dunnigan指出：“nvSRAM将赛普拉斯的SRAM和非易失存储器这两种传统优势融为一体，形成了单片高性能解决方案，能够满足许多应用领域的要求。此外，我们还为这些产品提供了市场上最为广泛的销售渠道和最优秀的技术支持。”

       赛普拉斯负责新产品开发的执行副总裁Paul Keswick表示：“这款产品的推出代表着赛普拉斯工艺发展演化中一个极具发展潜力的可开发点。我们已经将内部资源转向投入到S8这类能够带来市场差异化解决方案的增值型专有工艺。我们正在利用这一工艺开发一系列重要的新产品。”

       4-Mbit nvSRAM供货配置包括512-Kbit x 8（CY14B104L）或256-Kbit x 16（CY14B104N）。这些器件均符合ROHS标准并能够直接取代SRAM、带备用电池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，在无需电池的情况下提供了可靠的非易失数据存储能力。从SRAM向本器件非易失性单元的数据传输操作会在供电断开时自动执行。在供电恢复时，数据从非易失存储器恢复至SRAM。这两种操作功能也可以在软件控制下实现。